400-060-6098
根据稀释理论,晶间腐蚀是由于组件的稀释晶界由于容易沉淀的第二阶段的晶界(1)奥氏体不锈钢,铬缺乏是由于晶界Cr23C6阶段的降水,(2)对于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界处析出，钼在晶界处含量较低;(3)对于铜铝合金，CuAl2在晶界处析出，导致晶界处铜含量较低。
碳对晶间腐蚀有显著影响。随着含碳量的增加，晶间腐蚀的趋势越来越严重。它不仅扩大了晶间腐蚀趋势的加热温度和时间范围，而且加剧了晶间腐蚀程度，提高了固溶温度。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
晶间腐蚀条件:1。金属或合金中含有杂质，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之间的化学成分不同，在合适的介质中形成腐蚀电池。晶界为阳极，晶界为阴极，晶界产生选择性溶解。3.有一种特定的腐蚀性介质。
