400-060-6098
晶间腐蚀条件:1。金属或合金中含有杂质，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之间的化学成分不同，在合适的介质中形成腐蚀电池。晶界为阳极，晶界为阴极，晶界产生选择性溶解。3.有一种特定的腐蚀性介质。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
理论上，研制P < = 0.01%，Si<= 0.10%，B<= 0.008%的高纯度Cr - Ni奥氏体不锈钢是解决非敏化晶间腐蚀的最根本措施。
晶间腐蚀是一种局部腐蚀。沿金属晶界向内延伸的腐蚀。这主要是由于晶粒表面和内部的化学成分不同，以及晶界杂质或内应力的存在。晶间腐蚀破坏了晶粒间的结合，大大降低了金属的机械强度。
