400-060-6098
P. Si、B等杂质元素沿晶界偏析引起的非敏化晶间腐蚀只是晶界与晶体间形成化学浓度差而引起的简单电化学腐蚀过程，或者是偏析导致的晶界耐蚀性下降，或者还有其他因素，需要进一步探讨。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
非敏化晶间腐蚀主要发生在含Cr6 +的HNO3中。除65% HNO3外，最可能出现在浓HNO3中，特别是发烟硝酸中。另外，在我国采用二氧化碳汽提法生产尿素的条件下，在高温高压氨基甲酸铵溶液中，在液相与气液相交点处，发现了尿素级和非尿素级00Cr17Ni14Mo2和00cr25ni22mo2n和Fe Ni基耐腐蚀合金00cr20ni35mo2cu3nb (carpenter 20cd-3)的非敏化晶间腐蚀。在气相中。
在某些合金介质体系中，常发生严重的晶间腐蚀。例如，奥氏体不锈钢在弱氧化介质(如曝气海水)或强氧化介质(如浓硝酸)等特定腐蚀介质中可能产生严重的晶间腐蚀。
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