400-060-6098
晶间腐蚀条件:1。金属或合金中含有杂质，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之间的化学成分不同，在合适的介质中形成腐蚀电池。晶界为阳极，晶界为阴极，晶界产生选择性溶解。3.有一种特定的腐蚀性介质。
铬、镍、钼、硅:Cr、Mo含量的增加会降低C的活性，降低晶体腐蚀的倾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素会提高C的活性，降低C在奥氏体中的溶解度，促进碳化物的析出。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
由于铬在铁素体中的迁移速度远快于奥氏体不锈钢，即使在高温下迅速冷却，也会析出碳化物，造成铬贫区和晶间腐蚀。而在700 ~ 800℃退火时，亚稳相cr23c3转变为稳定相Cr23C6，使铬分布趋于均匀，消除了晶间腐蚀的倾向。
