400-060-6098
晶间腐蚀条件:1。金属或合金中含有杂质，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之间的化学成分不同，在合适的介质中形成腐蚀电池。晶界为阳极，晶界为阴极，晶界产生选择性溶解。3.有一种特定的腐蚀性介质。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
目前，为解决硝酸在使用过程中的非敏化晶间腐蚀问题，主要选用高硅(Si ~ 4%)不锈钢0cr18ni11si4alti、00cr20ni24si4ti、00Cr14Ni14Si4、00cr17ni15si4nb等。
缝隙腐蚀:许多金属部件是通过螺丝、铆接、焊接等方式连接的，这些连接件或焊接接头的缺陷处可能会有狭窄的缝隙。缝隙的宽度(一般为0.025 ~ 0.1mm)足以让电解液进入，使缝隙内的金属与缝隙外的金属形成短路原电池，缝隙内发生较强的局部腐蚀。
