400-060-6098
晶界吸附理论:超低碳不锈钢经1050℃固溶处理后，在强氧化介质中也会发生晶间腐蚀。这时，铬差或不锈钢不能采用σ相析出理论。实验表明，当p杂质达到100ppm或Si杂质达到1000 ~ 2000ppm时，它们会在高温区晶界处吸附分离。这些杂质在强氧化剂介质的作用下会溶解，在晶界处产生选择性晶间腐蚀。该钢经敏化处理后不会出现晶间腐蚀，因为碳和磷形成了磷碳化物，限制了磷向晶界的扩散，降低了杂质在晶界的偏析，消除或减弱了对晶间腐蚀的敏感性。
晶间腐蚀:金属材料在特定腐蚀介质中沿晶界发生的局部选择性腐蚀。晶界是不同晶粒之间的边界。由于晶粒有不同的取向，原子在结处的排列必须逐渐从一个取向转变为另一个取向。因此，晶界实际上是一种“表面”不完整的结构缺陷。由于晶格畸变的增加，晶界处原子的平均能量高于晶内。较高的能量称为晶界能。纯金属晶界在腐蚀介质中的腐蚀速率比晶体的腐蚀速率快，这是因为晶界的能量高，原子处于不稳定状态。
P. Si、B等杂质元素沿晶界偏析引起的非敏化晶间腐蚀只是晶界与晶体间形成化学浓度差而引起的简单电化学腐蚀过程，或者是偏析导致的晶界耐蚀性下降，或者还有其他因素，需要进一步探讨。
在某些合金介质体系中，常发生严重的晶间腐蚀。例如，奥氏体不锈钢在弱氧化介质(如曝气海水)或强氧化介质(如浓硝酸)等特定腐蚀介质中可能产生严重的晶间腐蚀。
